10月30日晚间，普冉股份发布2025年三季报。报告显示，普冉股份第三季度营业收入实现5.27亿元，环比增长5.24%；实现净利润0.18亿元；实现扣非净利润0.10亿元，环比增长35.70%。

在全球存储行业迈入“超级周期”的关键节点，普冉股份2025年三季度经营态势稳中向好，营收与出货量实现逐季环比稳步提升，为行业景气度回升提供了微观层面的鲜活注脚。这种增长韧性的背后，是公司在周期调整期中持续投入的投资回报，彰显出公司对未来长远发展的坚实信念。

逆周期投入协同精益运营，多产品线突破、积极外延夯实增长动力

报告期内，随着各项研发项目的深入开展及研发人员团队的扩大，2025前三季度公司研发费用、管理费用及销售费用相较于去年同期增长较为明显。

同时，由于前期部分未及时消化的库存影响，普冉股份半年度计提减值准备7175万元，转回/转销减值准备4382万元，减少公司报表利润总额2793万元；三季度公司计提减值准备4979万元，转回/转销减值准备1887万元，减少公司报表利润总额3093万元。

产品线多点开花与精益运营形成增长合力。普冉股份NOR Flash产品采用先进SONOS和ETOX 技术，容量覆盖512kbit-1Gbit，适配TWS 耳机、车载导航、手机触控等场景。以代表产品 PY25Q129HA为例，该产品是一款基于50nm ETOX 工艺打造的超低功耗 128Mbit 串行多 I/O NOR Flash，电压覆盖2.7V-3.6V，专为在各种不同系统中使用而设计，支持读取、编程和擦除操作，支持 X1/X2/X4多I/O，以及QPI/DTR接口协议，数据保持20年、擦写10万次，兼顾能效、安全与设计灵活性。

此外，凭借设计与工艺的协同优势，公司差异化地构建了自主知识产权的嵌入式IP，应用于通用高性能MCU产品线，使得产品具备芯片尺寸、功耗及读取速度等应用特性优势，以及存储器擦写及数据保持时间等可靠性优势。普冉MCU基于ARM Cortex M0+/M4内核，覆盖从通用型到电机专用型、超低功耗型、高性能型等多个产品系列，包括PY32F、PY32M、PY32L、PY32T、PY32E等，具备丰富的存储容量、外设接口，同时拥有优秀的能效表现。在电机专用SOC方面，PY32MD系列集成了预驱与MCU，支持无感方波/FOC控制，具备转子初始位置自学习、零速闭环启动、宽转速范围调节、多重保护机制等功能，广泛应用于电动工具、家用风扇、高速风筒、空调风机、变频洗衣机等场景。基于存储、模拟及传感器技术的积累和延展，普冉股份研发出了内置非易失存储器的音圈马达驱动芯片（二合一）、开环马达驱动芯片、光学防抖音圈马达驱动芯片OIS。新一代光学防抖音圈马达驱动芯片VOIS实现了手机和运动相机等客户端的批量交付，提升了防抖等级、终端稳定性与影像效果。

值得注意的是，在强化内生增长动力的同时，普冉股份亦通过外延并购积极布局。普冉股份此前公告，公司拟以现金方式收购参股公司珠海诺亚长天存储技术有限公司（简称“诺亚长天”）控股权。若完成本次交易，预计公司与目标公司将在产品、市场、技术等方面有效互补，有利于形成规模效应，进一步提升公司业绩规模，增强公司市场核心竞争力。

全球存储受AI需求牵引

本轮存储大周期的持续加剧，打破了传统“消费需求驱动”的逻辑，呈现出“AI算力牵引+产能结构性倾斜”的双重催化特征。需求端，AI正以颠覆性力量催生结构性存储缺口。这种缺口并非简单的数量增长，而是由性能与容量双重诉求驱动的质的飞跃。据美光数据显示，AI服务器的DRAM容量需求是普通服务器的8倍，NAND容量需求则达到3倍，单台AI服务器存储需求更是高达2TB，远超传统服务器的配置标准。

目前，主流存储芯片的供应紧张正传导至中小容量的利基产品，导致SLC Nand、MLC Nand及NOR Flash等芯片价格出现上涨。报告中，摩根士丹利维持其对第四季度NOR Flash价格上涨5-10%的观点。同时，基于物联网（IoT）和服务器领域需求的持续增长，预计将使NOR Flash的供应缺口从“低个位数”扩大至“中个位数”。

这一系列信号清晰表明，存储行业正处于周期底部向景气上行的关键衔接点。10月24日普冉股份等存储概念股强势涨停，更凸显资本市场对行业拐点的认可。

（本文不构成投资建议）

编辑：牛朝阁